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![英特爾為酷睿 Ultra 9 處理器 386H 解鎖 LPDDR5X 9600MT/s 內(nèi)存支持，雷蛇導(dǎo)入]()
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![消息稱南亞科技打入英偉達(dá) Vera Rubin 平臺(tái) LPDDR 內(nèi)存供應(yīng)鏈]()
消息稱南亞科技打入英偉達(dá) Vera Rubin 平臺(tái) LPDDR 內(nèi)存供應(yīng)鏈
從 Vera Rubin 平臺(tái)的設(shè)計(jì)規(guī)格來(lái)看，南亞科技有望向英偉達(dá)供應(yīng)與 Vera CPU 配套的 LPDDR5X SOCAMM2 內(nèi)存模組。04月27日 -
![JEDEC 更新 LPDDR5/5X 內(nèi)存 SPD 內(nèi)容標(biāo)準(zhǔn)，提升高低速模式切換效率]()
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![消息稱今年第一季度 16GB LPDDR5x+1TB UFS 4.1 BOM 成本已超過(guò)驍龍 8E5 SoC]()
消息稱今年第一季度 16GB LPDDR5x+1TB UFS 4.1 BOM 成本已超過(guò)驍龍 8E5 SoC
數(shù)碼博主爆料，今年 Q1 16GB LPDDR5x+1TB UFS 4.1 的物料成本已高于驍龍 8E5 芯片，且 Q2 還將繼續(xù)漲價(jià)。這意味著未來(lái)手機(jī)大內(nèi)存版本成本將可能超越 2nm 工藝 SoC，LPDDR6 或?qū)H限頂配機(jī)型，部分廠商甚至可能停產(chǎn)性價(jià)比機(jī)型以對(duì)沖成本。#手機(jī)內(nèi)存漲價(jià)潮# -
![為求得 LPDDR5X 內(nèi)存穩(wěn)定供應(yīng)，消息稱蘋(píng)果接受三星漲價(jià) 100% 方案]()
為求得 LPDDR5X 內(nèi)存穩(wěn)定供應(yīng)，消息稱蘋(píng)果接受三星漲價(jià) 100% 方案
作為萬(wàn)億美元級(jí)科技公司，蘋(píng)果具備承擔(dān)更高成本的能力，可這些成本是否會(huì)轉(zhuǎn)嫁至消費(fèi)者，目前尚不能確定。 -
![筆記本廠商 Schenker XMG：內(nèi)存短缺影響板載大容量 LPDDR5X 產(chǎn)品推出]()
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![可靠性媲美 RECC DDR5，Cadence 楷登推出數(shù)據(jù)中心級(jí) LPDDR5X-9600 內(nèi)存 IP]()
可靠性媲美 RECC DDR5，Cadence 楷登推出數(shù)據(jù)中心級(jí) LPDDR5X-9600 內(nèi)存 IP
這一 IP 結(jié)合了 Cadence 的高速 LPDDR5X-9600 技術(shù)堆棧和微軟的 RAIDDR ECC 編碼方案，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)中心級(jí) RAS 功能。01月14日 -
![消息稱三星聯(lián)席 CEO 盧泰文 CES 2026 會(huì)見(jiàn)美光 CEO 梅赫羅特拉，討論手機(jī)內(nèi)存供應(yīng)]()
消息稱三星聯(lián)席 CEO 盧泰文 CES 2026 會(huì)見(jiàn)美光 CEO 梅赫羅特拉，討論手機(jī)內(nèi)存供應(yīng)
三星 DX 部迄今為止都未能與三星 DS 部與美光達(dá)成 Galaxy S26 系列 LPDDR5x 內(nèi)存供應(yīng)協(xié)議。2025年12月12日 -
![長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布全新 DDR5 內(nèi)存新品：最高速率 8000 MT/s，最高顆粒容量 24Gb]()
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布全新 DDR5 內(nèi)存新品：最高速率 8000 MT/s，最高顆粒容量 24Gb
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在IC China 2025上展示了DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線新品，DDR5最高速率達(dá)8000Mbps，LPDDR5X最高速率10667Mbps，覆蓋全場(chǎng)景需求。#國(guó)產(chǎn)芯片# #長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)#2025年11月23日 -
![長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布已量產(chǎn) LPDDR5X 產(chǎn)品：最高速率 10667Mbps，達(dá)國(guó)際主流水平]()
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布已量產(chǎn) LPDDR5X 產(chǎn)品：最高速率 10667Mbps，達(dá)國(guó)際主流水平
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布已量產(chǎn)LPDDR5X產(chǎn)品，最高速率達(dá)10667Mbps，功耗降低30%，達(dá)到國(guó)際主流水平。產(chǎn)品包括12Gb/16Gb顆粒及多種容量模組，兼容LPDDR5，并首創(chuàng)uPoP小型封裝。#長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)#Tags：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，LPDDR5X2025年10月29日 -
![消息稱 LPDDR5X 內(nèi)存目前還有大幅上漲趨勢(shì)，漲的價(jià)格“可以換一顆 2 億大底潛望鏡”]()
消息稱 LPDDR5X 內(nèi)存目前還有大幅上漲趨勢(shì)，漲的價(jià)格“可以換一顆 2 億大底潛望鏡”
博主@數(shù)碼閑聊站爆料，LPDDR5X內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲，預(yù)計(jì)明年旗艦手機(jī)內(nèi)存漲幅達(dá)20-30%，漲幅可抵一顆2億像素大底潛望鏡。#內(nèi)存漲價(jià)# #手機(jī)市場(chǎng)#Tags：LPDDR5X2025年10月24日 -
![SK 海力士：今年上半年成功開(kāi)發(fā) 1cnm 24Gb LPDDR5x 內(nèi)存，最快可達(dá) 10.7Gbps]()
SK 海力士：今年上半年成功開(kāi)發(fā) 1cnm 24Gb LPDDR5x 內(nèi)存，最快可達(dá) 10.7Gbps
SK 海力士上半年還成功開(kāi)發(fā)了基于 321 層 V9 3D TLC NAND 的 UFS 4.1 / 3.1 / 2.2 閃存、車規(guī)級(jí) PCIe 4.0 NVMe 固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)新品。 -
![消息稱三星 Galaxy S25 系列手機(jī)本家內(nèi)存搭載率增至 60%，反超美光]()
消息稱三星 Galaxy S25 系列手機(jī)本家內(nèi)存搭載率增至 60%，反超美光
此前三星電子 DS 部門(mén)的 1b nm LPDDR5x 內(nèi)存良率和發(fā)熱表現(xiàn)無(wú)法滿足三星 MX 部門(mén)的要求，導(dǎo)致美光一度成為 S25 系列的內(nèi)存“一供”。2025年08月14日 -
![消息稱今年底旗艦安卓手機(jī)面臨內(nèi)存成本壓力，原價(jià)理論可以維持 3999-4299 元]()
消息稱今年底旗艦安卓手機(jī)面臨內(nèi)存成本壓力，原價(jià)理論可以維持 3999-4299 元
由于 AI 需求旺盛等相關(guān)因素推動(dòng)，DRAM 內(nèi)存價(jià)格整體來(lái)看仍處于上升軌道。中低端平臺(tái)向 LPDDR5x 的遷移也可能會(huì)帶來(lái)間接影響。 -
![TrendForce：LPDDR4x 減產(chǎn)潮推動(dòng)中低端智能手機(jī)內(nèi)存代際更新]()
TrendForce：LPDDR4x 減產(chǎn)潮推動(dòng)中低端智能手機(jī)內(nèi)存代際更新
在移動(dòng)端 DRAM 內(nèi)存比特產(chǎn)出率方面，LPDDR4x 今年仍可占到 42%，但到 2026 年其產(chǎn)能將出現(xiàn) 10% 以上的衰退。2025年07月17日 -
![美光率先推出第六代 10nm 級(jí) LPDDR5x DRAM 內(nèi)存，速度可達(dá) 10.7Gbps]()
美光率先推出第六代 10nm 級(jí) LPDDR5x DRAM 內(nèi)存，速度可達(dá) 10.7Gbps
美光的 1γ LPDDR5x 相較上代 1β 產(chǎn)品節(jié)省 20% 功耗，同時(shí)擁有業(yè)界最低的 0.61mm 模塊厚度。 -
![為 12GB 內(nèi)存 iPhone 17 Pro / Max 做準(zhǔn)備，消息稱蘋(píng)果正與內(nèi)存制造商進(jìn)行最后談判]()
為 12GB 內(nèi)存 iPhone 17 Pro / Max 做準(zhǔn)備，消息稱蘋(píng)果正與內(nèi)存制造商進(jìn)行最后談判
據(jù)蘋(píng)果供應(yīng)鏈分析師郭明錤透露，蘋(píng)果 iPhone 17 Air / Pro / Pro Max 將配備 12GB 內(nèi)存，基礎(chǔ)款也可能有戲。 -
![SK 海力士確認(rèn) 1b nm 工藝 16Gb LPDDR5X-10667 內(nèi)存已于 2024 年 10 月量產(chǎn)]()
SK 海力士確認(rèn) 1b nm 工藝 16Gb LPDDR5X-10667 內(nèi)存已于 2024 年 10 月量產(chǎn)
該型內(nèi)存于去年 4 月開(kāi)發(fā)完成，運(yùn)行速率較上代 9.6Gbps LPDDR5T 高出約 10%，能效則提升了 15%。 -
![刷新 LPDDR5X 紀(jì)錄實(shí)現(xiàn) 12700 MT/s 傳輸速率，三星公布 LPDDR5-Ultra-Pro 技術(shù)]()
刷新 LPDDR5X 紀(jì)錄實(shí)現(xiàn) 12700 MT/s 傳輸速率，三星公布 LPDDR5-Ultra-Pro 技術(shù)
三星在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）基于 LPDDR5 規(guī)格推出了全新技術(shù) ——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。相應(yīng) DRAM 芯片采用 1.05V 標(biāo)準(zhǔn)電壓和公司第五代 10nm 級(jí) DRAM 工藝，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 12,700 MT/s（12.7 GT/s）的數(shù)據(jù)傳輸速率，刷新了 LPDDR5X 的最高紀(jì)錄。 -
![佰維存儲(chǔ)推出 LPDDR5X 內(nèi)存：速率 8533Mbps，最高 16GB]()
佰維存儲(chǔ)推出 LPDDR5X 內(nèi)存：速率 8533Mbps，最高 16GB
佰維存儲(chǔ)今日推出了 LPDDR5X 內(nèi)存，產(chǎn)品采用了 1bnm 制程工藝，與上一代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)傳輸速率提高 33% 至 8533Mbps，功耗降低 25%，容量為 8GB、12GB、16GB（ES 階段），用于旗艦智能手機(jī)等終端設(shè)備。
