IT之家 4 月 14 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（4 月 13 日）發(fā)布博文，報道稱面對 AI 產業(yè)面臨的高級封裝產能瓶頸，臺積電計劃改造 8 英寸晶圓廠并新建設施，預計 2027 年封裝產能將從 130 萬片提升至 200 萬片。

消息稱臺積電計劃布局 7 座先進封裝工廠，全面部署 CoWoS、WMCM 及 SoIC 三大核心封裝技術。不過高性能計算（HPC）的 AI 芯片需求遠超其他細分市場，因此大部分封裝產能優(yōu)先服務 AI 算力基礎設施。

產能規(guī)劃顯示，到 2027 年臺積電先進封裝年產能將從目前的 130 萬片晶圓提升至 200 萬片，增幅約為 53.85%。

臺積電為了快速擴充產能，采取了“新建 + 改造”雙軌策略。除了建設新設施，公司還計劃將部分老舊的 8 英寸晶圓廠轉換為先進封裝產線。相比新建工廠，改造現(xiàn)有廠房能縮短設備調試周期，更快響應市場缺口。

與此同時，臺積電積極推進在美國亞利桑那州的先進封裝布局，兩座封裝工廠計劃于 2030 年投入量產，屆時將填補美國本土芯片制造在封裝環(huán)節(jié)的空白。

IT之家注：

CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate，晶圓上芯片封裝）是臺積電的核心先進封裝技術，將芯片通過硅中介層連接到基板上。

技術原理是邏輯芯片與高帶寬內存（HBM）并排放置在硅中介層上，通過微凸塊實現(xiàn)高速互連。與傳統(tǒng)封裝對比，互連密度提升數(shù)倍，信號延遲大幅降低，適合 AI 加速器等高性能芯片。

SoIC（System on Integrated Chips，集成芯片系統(tǒng)）是臺積電的 3D 封裝技術，實現(xiàn)芯片的垂直堆疊。

技術原理是通過銅接合技術將多顆芯片垂直堆疊，無凸塊直接互連，間距小于 10 微米。相比 CoWoS 封裝技術，SoIC 是垂直堆疊，CoWoS 是水平并排；SoIC 互連密度更高，但散熱挑戰(zhàn)更大。

廣告聲明：文內含有的對外跳轉鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。