IT之家 10 月 24 日消息，據(jù)本月 21 日鎧俠、南亞科技新聞稿，兩家存儲企業(yè)關(guān)于新型極低漏電流內(nèi)存的聯(lián)合研究論文將于今年 12 月 7~11 日在美國加州舊金山舉行的 2024 IEEE IEDM 國際電子器件大會上發(fā)表。
根據(jù)活動介紹，鎧俠、南亞科技將在當(dāng)?shù)貢r間 12 月 9 日介紹全球首款 4F2 GAA 氧化物半導(dǎo)體（Oxide-semiconductor）通道晶體管 DRAM——OCTRAM。
OCTRAM 應(yīng)屬于一種 GAA 結(jié)構(gòu)的 4F2 VCT DRAM，其在高深寬比電容器頂部集成了 IGZO（IT之家注：氧化銦鎵鋅，InGaZnO）垂直通道晶體管，實現(xiàn)了極低漏電流，降低了內(nèi)存能耗。
鎧俠、南亞科技合作制造了字線和位線間距分別為 54nm 與 63nm 的 275Mbit 容量 OCTRAM 陣列，該原型在設(shè)計的電壓范圍內(nèi)成功運行。
鎧俠、南亞科技表示，這項創(chuàng)新技術(shù)透過制造流程改善來強化芯片整合架構(gòu)發(fā)展，有望用于 AI、后 5G 移動通信系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，滿足設(shè)備對節(jié)能與性能兩方面日益增加的需求。
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