IT之家 5 月 31 日消息，三星電子代表昨日在韓國“AI-PIM 研討會(huì)”上表示，正按計(jì)劃逐步推進(jìn) eMRAM 內(nèi)存的制程升級(jí)，目前 8nm eMRAM 的技術(shù)開發(fā)已基本完成。

作為一種新型內(nèi)存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 內(nèi)存一樣不斷刷新數(shù)據(jù)，更為節(jié)能高效；

同時(shí) MRAM 的寫入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持對(duì)寫入速率要求更高的應(yīng)用。

eMRAM 即面向嵌入式領(lǐng)域的 MRAM。三星電子目前具有 28nm eMRAM 的生產(chǎn)能力，已在向智能手表等終端產(chǎn)品供貨。

根據(jù)IT之家2023 年的報(bào)道，三星電子當(dāng)時(shí)表示計(jì)劃在 2024 年量產(chǎn) 14nm eMRAM；2026 年量產(chǎn) 8nm 的 eMRAM；到 2027 年將更進(jìn)一步，實(shí)現(xiàn) 5nm 制程 eMRAM 量產(chǎn)。

目前三星電子已完成 14nm eMRAM 的開發(fā)，8nm eMRAM 開發(fā)也基本完成，仍計(jì)劃 2027 年推出 5nm eMRAM。

三星電子認(rèn)為未來車用領(lǐng)域?qū)?eMRAM 的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，其產(chǎn)品目前耐溫能力已達(dá) 150~160℃，足以滿足汽車行業(yè)對(duì)半導(dǎo)體的嚴(yán)苛要求。

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